مطالعه DFT اثرمیدان الکتریکی بر جذب برخی ترکیب های نیتروآروماتیک در سطح نانولوله روی اکسید

در این پژوهش، نظریه تابعیت چگالی  (DFT)برای مطالعه فرایند جذب مولکول ­های 2و4و6 تری‌‌نیتروتولوئن، 2و4 دی‌‌نیتروتولوئن، تتریل و نیتروبنزن در سطح نانولوله روی اکسید (0‚8) و بررسی اثر میدان الکتریکی خارجی بر فرایند جذب آن­ها مورد استفاده قرار گرفته است. داده‌های به دست آمده از محاسبه­ ها نشان می‌دهد که این مولکول­ ها به ترتیب با انرژی جذب 7/61-، 54-، 7/110- و 7/61- کیلوژول بر مول در سطح نانولوله جذب شده و سبب کاهش بیش از 5/0 الکترون‌ولت در شکاف انرژی نانولوله می‌شوند. با توجه به این نتیجه ­ها افزایش رسانایی سامانه که در نتیجه کاهش شکاف انرژی نانولوله طی فرایند جذب ایجاد می‌شود، می‌تواند به عنوان عاملی برای شناسایی مولکول ­های نیتروآروماتیک مورد‌ مطالعه استفاده شود. با اعمال میدان الکتریکی بر ساختارهای جذبی مشخص می‌شود که با تنظیم شدت میدان الکتریکی در جهت مناسب می‌توان به مقدارهای مناسبی از انرژی جذب و شکاف انرژی در فرایند جذب این مولکول­ها در سطح نانولوله روی اکسید دست یافت.